一种基于石墨烯/二碲化钨/锗混维异质结的光电二极管及其制备方法和应用

项目编号：PX

专利申请号：CNX.5

专利名称：一种基于石墨烯/二碲化钨/锗混维异质结的光电二极管及其制备方法和应用

应用领域：混维范德瓦尔斯异质结宽谱光探测技术领域

交易类型：转让

挂牌价：XX

价款支付方式：一次性付款

专利摘要：本发明属于宽谱光探测领域，公开了一种基于石墨烯/二碲化钨/锗混维异质结的光电二极管及其制备方法和应用，该光电二极管的结构为石墨烯/二碲化钨/锗混维异质结。该光电二极管是先在Ge片上生长一层绝缘层薄膜，在绝缘层薄膜上刻蚀获得Ge窗口，在该窗口边缘两侧光刻显影电极图案并沉积金属得到源电极和漏电极，将WTe2纳米片转移到Ge窗口上，再将Gr纳米片转移至WTe2纳米片上形成Gr/WTe2/Ge混维异质结，惰性气体条件下，在X～X℃退火处理制得。该光电二极管在X～Xnm波长范围内具有优异的自驱动光电响应性能，高光灵敏度和快速响应时间，可用于波段宽谱光电探测器或红外成像等领域。

模板：交易意向申请书.doc

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