采购与招标网 ,科技文教旅游,机械电子电器 广东 2026-11-05
| 序号 | 采购项目名称 | 采购需求概况 | 预算金额(X) | 预计采购时间 | 备注 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| X | 深反应离子刻蚀设备 | 标的名称:深反应离子刻蚀设备 标的数量:1 主要功能或目标:功能:在真空等离子环境下,X别实现硅材料高深宽比刻蚀、功率器件深沟槽刻蚀以及氧化层、氮化层介质薄膜干法刻蚀;通过射频等离子源、X配比、压力与温度闭环控制,完成晶圆图形转移,获得设定刻蚀深度、侧壁陡直度、选择比的沟槽 / 通孔结构。 目标:用于 IGBT、SGT、MOS、Super‑Junction 功率器件、TSV、MEMS 等芯片器件工艺制造,实现硅深沟槽、介质薄膜的图形刻蚀加工。 需满足的要求:1.适用晶圆尺寸:兼容 6 英寸、8 英寸晶圆; 2.设备应具备 OES 终点检测、完备安全互锁、EMO 急停,支持工艺配方管理、数据自动记录X CSV,支持部件生命周期报警。 3.各类工艺的片内、片间、批间深度均匀性均<3% | 落实国家关于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、X农副产品等政策情况 | 8,X,X.X | X年X月 |
本X采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
广东中科半导体微纳制造技术研究院
X年X月X日
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